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IXFR 24N50Q
IXFR 26N50Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
ISOPLUS 247 OUTLINE
g fs
V DS = 15 V; I D = I T
Note 1
14
24
S
C iss
3900
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
R G = 1 ? (External),
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
500
130
28
30
55
16
95
27
40
0.15
0.50
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
I S
I SM
V SD
Test Conditions
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
min.
typ.
max.
26
104
1.3
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I s , -di/dt = 100 A/ μ s,
V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 25 ° C
T J = 25 ° C
0.85
8
250
1.5
ns
μ C
A
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2. I T test current: IXFR26N50Q I T = 13A
IXFR24N50Q I T = 12A
3. See IXFH26N50Q data sheet for characteristic curves.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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